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第291章 半导体提议,光刻厂!

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开始推进的!”

王逸明白了,两种光刻机是两代技术,或者说EUV光刻机是全新的技术。

所以没必要等几年后研发出DUV光刻机,再推进EUV光刻机研发,这样太慢了。

相反直接立项,两代产品,两代技术,一同研发!

如此魄力,王逸都很佩服。

索性道:“EUV光刻机的确困难,需要的上下游产业链太多,咱们差得很远。但换个思路,如果EUV光刻机不好做,做一个EUV光刻厂……会不会容易一点?”

“EUV光刻厂?”秦主任眼睛一亮:“你详细说一说。”

王逸略微思忖,刚想开口,却被秦主任直接打断:

“王董,你稍等下,这种严密的技术性问题,我也不在行,可否让我录个视频,回去给专家院士看?”

“没问题。”王逸摆了摆手。

“谢谢!”秦主任和蔼一笑,当即拿出星逸xphone 1,打开视频录制:“好了,王董,请继续说。”

王逸点点头:“众所周知,阿斯麦的EUV光刻机之所以厉害,能做到5纳米以下的芯片制程,就是因为它能制造13.5纳米的极紫外光源,这种光源是未来5纳米以下制程芯片的关键。”

“而DUV光刻机的深紫外光源,最多能制造10纳米芯片。通过多重曝光技术,才能量产7纳米,5纳米。甚至5纳米的良品率都不高,成本却不低。至于5纳米以上的4纳米,3纳米,那更不现实,只能靠EUV光刻机的极紫外光源。”

“同样,我们本质上需要的不是EUV光刻机,而是13.5纳米的极紫外光源!”

“EUV光刻机我们目前造不了,未来难度也很大。但是我们反其道而行,通过其他方式,实现极紫外光源,也能制造出4纳米,3纳米,甚至2纳米,1纳米芯片。”

“比如我之前提到的光刻厂!”王逸顿了顿,继续道:

“建一个光刻厂,通过粒子对撞,实现极紫外光源,然后通过光刻厂的模式,实现EUV光刻机的效果。”

……

“当然,我并非半导体专业人士,以上内容只是基于我不成熟的想法,随口一说。”

“能不能实现,我就不知道了。若是不能实现,还请各位大佬海涵。”

至于能不能实现,他也不知道,但理论上应该可以。

前世华清大学的EUV光刻机,就是要走这个路线,完全不同于阿


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